技术编号:7013079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种半导体激光元件,能够在使用了由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中良好地限制光来降低FFP的脉动。半导体激光元件在由GaN构成的基板之上具有由氮化物半导体构成且折射率高于基板的发光层,在基板与发光层之间从基板的一侧起依次具有由AlGaN构成的第一氮化物半导体层;由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成的第二氮化物半导体层;由InGaN构成的第三氮化物半导体层;和由Al组成比大于第一氮化物半导体层的AlGaN构成、且膜厚大于第二氮...
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