技术编号：7013288
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置具备包括互相相邻的二极管有源区域和边缘端接区域的半导体衬底（1）；二极管有源区域中的第一导电型的第一区域；第二导电型的第二区域（4）；边缘端接区域中的第一导电型的第三区域；和第二导电型的第四区域（5）。第一区域和第三区域共有第一导电型的漂移区域（10），第一区域和第三区域共有第一导电型的第五区域（2）。第三区域的漂移区域（10）中的每单位体积的晶体缺陷的数量，多于第一区域的漂移区域（10）中的每单位体积的晶体缺陷的数量，以使第三区域中的漂移区域（...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。