技术编号:7013716
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有双轴向气体注入和排放的等离子体处理室背景技术随着半导体特征尺寸不断变小,努力使半导体制造工艺跟上步伐。制造工艺中的一种类型涉及暴露半导体晶片于等离子体或其他形式的反应气体以在晶片上沉积材料,或从晶片上去除材料。更小的特征尺寸,要求更精确的材料沉积和蚀刻的控制,而这又需要对如何将晶片暴露于等离子体/反应气体进行更精确的控制。这些更精确的控制要求可包括在整个晶片的等离子体的均匀性的更精确的控制,跨过晶片的等离子体密度的更精确的控制,和/或对暴露给晶片的等离...
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