技术编号:7014030
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。集成无源器件(100,1100)(例如,金属绝缘体金属、或MIM电容器)及其形成方法的实施例包括在半导体衬底(300)上(例如,在衬底表面上的电介质层(112,312)上)沉积(206,212)复合电极(120,820),以及在所述复合电极上沉积(208)绝缘层(140,1040)。所述复合电极包括底层电极(122,822)和沉积在所述底层电极的顶表面(123)上的上层电极(124,824)。由第一导电材料(例如,AlCuW)形成所述底层电极,而由由不同的...
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