技术编号:7014171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明,涉及半导体器件制备。本发明包括步骤清洁SiC衬底表面;在SiC表面制备接触层;以紫外脉冲激光聚焦后,在高真空或惰性气体保护氛围中对上述材料正面进行辐照,得到欧姆接触。本发明以紫外脉冲激光辐照代替传统热退火,能得到性能良好的SiC欧姆接触。相比传统热退火,该方法处理时间短、反应温度高,并能精确控制处理区域范围。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件制备,具体指。背景技术[0002]在半导体材料的发展中,一般将Si与Ge称为第一代电子材料,GaAs,...
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