技术编号：7014403
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。包括以下步骤将半导体样品研磨至钨栓塞接触层；在所述半导体样品的待观测区域形成两个用于确定失效地址的位置标记，并在靠近失效地址处形成停止标记；研磨半导体样品的横截面直至停止标记；将半导体样品在沸腾的双氧水中浸煮，直到去除金属钨，露出硅钴化物层；制备平面TEM样品；采用STEM观测平面TEM样品。本发明的技术方案先移出金属钨，然后通过STEM模式观测硅钴化物的生长形貌和质量，从而可以快速找到钨接触栓塞高阻的原因，指明工艺的改进方向，对改善钨接触栓塞...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。