技术编号:7014421
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,在硅的N-I-P层与前、背两个透明导电氧化物层之间分别刻蚀周期边长为200~500nm的锯齿状三角一维光栅,其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位20~160nm。本发明通过使硅薄膜太阳电池光吸收的前、背光栅织构横向错位来增强电池的光吸收,硅薄膜太阳电池的总光吸收率与未横向错位的硅薄膜太阳电池相比,相对提高了7.9%~17.8%,进一步提升了硅薄膜太阳电池的效率。专利说明[0001]本发明属...
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