技术编号:7014607
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高可靠可堆叠高速SOI二极管,包括SOI基底;其特征是在所述SOI基底上部Si层设置第一导电类型掺杂区,第一导电类型掺杂区由SOI基底上表面向SOI基底中部的SiO2层延伸;在所述SOI基底的上表面设置第一导电类型外延层,在第一导电类型外延层上设置环状沟槽,沟槽由第一导电类型外延层的上表面延伸至SOI基底中部的SiO2层,在沟槽内填充多晶硅,在沟槽的侧壁与多晶硅之间设置第一氧化硅层;在所述沟槽的上表面分别设置第二氧化硅层;在所述沟槽两侧的第一...
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