技术编号:7014801
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种既可以呈现晶闸管电学特性又可以呈现激光器光学特性的PiNiN结构晶闸管激光器,属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的晶闸管激光器中引入重掺杂N层和重掺杂P层,以及无掺杂的i层,在获得晶闸管电学特性的同时,可以获得高功率和低阈值的激光器光学特性。专利说明—种PiNiN结构晶闹管激光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。