技术编号：7015139
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层；（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形；（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为700~900sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100~150nm，等离子体处理功率为100~300W，温度为240~260℃，处理时间为20~40秒。步骤（1）所述金属层为Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为250~3...
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