技术编号:7015269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种扩散后方块电阻(简称方阻)和少子寿命异常硅片的处理办法,该方法用于处理因扩散不当而不合质量标准的硅片。其特点是,包括如下步骤(1)首先对单晶硅片单面扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片进行分类,第一类为方阻和少子寿命分别为90-130Ω/sq和0-2μs,第二类为方阻和少子寿命分别为75-90Ω/sq和4-20μs,第三类为方阻和少子寿命分别为40-50Ω/sq和4-20μs,第四类为方阻和少子寿命分别为60-75Ω/sq和2-4μs;(2)对第...
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