技术编号:7015295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤提供衬底,所述衬底包括支撑层、埋层以及顶层半导体层;在顶层半导体层和埋层中形成贯通的腐蚀窗口;通过腐蚀窗口腐蚀埋层,以使顶层半导体层部分悬空;将所述衬底置于第一温度下,在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条,所述桥接条采用金属-绝缘体相变材料制成;改变所述桥接条的温度至第二温度,从而使悬空的顶层半导体层发生应变。本发明的优点在于,利用金属-绝缘体相变现象会在某一特定的相变温度下引入明显...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。