技术编号：7015368
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示装置，用于解决采用现有的ELC技术制备的多晶硅薄膜均匀性较差的问题。本发明提供的制备方法包括在基板上形成缓冲层；通过构图工艺，在基板的缓冲层上形成非晶硅层，该非晶硅层包括多个凸起结构以及位于该多个凸起结构四周的部分被刻蚀掉的刻蚀区域；以及对非晶硅层进行准分子激光晶化，得到低温多晶硅薄膜。本发明实施例中，由于形成的非晶硅层中包括多个凸起结构，该些凸起结构在后续晶化过程中作为形核中心，能够均匀形核，从...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。