技术编号：7015460
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了。该场效应管包括衬底；栅电极、源电极和漏电极；以及氧化物半导体层；其中，所述氧化物半导体层包括分别与所述源电极和漏电极电接触的源区和漏区，和用以提供源电极和漏电极之间导电沟道的沟道区，其中，在所述氧化物半导体层与用于电接触栅电极的栅区之间设置栅电极绝缘层，以及在氧化物半导体层上设置氧化物半导体保护层。采用本发明可避免半导体氧化物层在器件制备过程中受到损伤，从而提高了器件的导电特性和结构完整性。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造，具体而言，...
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