技术编号:7015703
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,该方法包括清洗n型半导体单晶锗片;在该清洗后的锗片上沉积NiSn合金;以及在氮气的氛围下进行退火合金化,形成NiSnGe合金,从而得到NiSnGe与n型半导体锗的源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法,是在金属与n型锗接触之间引入应变元素Sn,降低了接触的势垒高度,使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触,解决了采用锗作为沟道材料的器件的源漏接触问题,从而进一步提高半导体锗MOS器件的性能。专利说明一种制作金属与η型半导体锗源漏接...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。