技术编号：7015757
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种InGaN基多量子阱结构，通过在所述GaN垒层上面依次生长所述In组分渐增量子阱层与Si掺杂的GaN垒层呈交替排布的多层结构，之后沿生长方向进一步包括所述In组分固定的量子阱层、In组分递减垒层和GaN垒层呈周期性排布的多层结构，从而本发明所述的InGaN基多量子阱结构能够有效缓解少垒和阱界面处的应力，缓解能带的弯曲，控制电子和空穴的辐射复合区域，提高电子和空穴的注入效率和辐射复合效率，从而有利于进一步获得晶体质量好、内量子效率高、发光效率高...
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