技术编号：7015857
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了用于可适性自对准双图案成型的基于序列内测量的过程调谐。一种用于可适性自对准双图案成型的设备及其方法。该方法包含提供基材给处理平台，处理平台配置为执行蚀刻过程和沉积过程；及测量单元，其配置用于真空中临界尺寸(CD)测量。真空中CD测量用于过程序列处理平台的前馈可适性控制，或用于腔室过程参数的反馈与前馈可适性控制。在一个方面中，多层掩模层叠的第一层被蚀刻以形成样板掩模；对样板掩模做真空中CD测量；并且邻接样板掩模形成间隔物，使之达到与样板掩模的CD...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。