技术编号:7015898
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,该方法包括在单晶衬底表面交替外延锗硅薄膜与锗薄膜,并对锗硅薄膜与锗薄膜的表面进行光刻和刻蚀,获得锗硅/锗的线条结构;在纯氧或含有氧气的混和气体的气氛下对获得的锗硅/锗的线条结构进行氧化,利用锗与锗硅氧化速率的不同将锗优先氧化为二氧化锗,同时保持锗硅不被氧化;以及利用化学腐蚀的方法除去二氧化锗,获得锗硅纳米线叠层结构。本发明提供的锗硅纳米线结构的制作方法,具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。专利说明[0001]本发明...
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