技术编号:7016181
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种CSTBT的制造方法。本发明的CSTBT的制造方法的基本工艺先是在P+单晶硅片衬底上依次外延生长N型场截止区2、N-漂移区3;形成正面槽栅MOS工艺后,进行背面减薄;然后主要技术方案是通过硅片背面H+的选择性注入、低温退火,激活与氢相关的施主,形成位于Pbody基区底部的N型CS层。最后加以背面金属化等工艺,形成CSTBT的完整结构。本发明的有益效果为,降低了制造工艺难度,减少了制造成本。本发明尤其适用于CSTBT的...
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