技术编号:7016284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种具有复合栅介质的横向功率器件,包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的绝缘埋层、位于所述绝缘埋层表面的有源层、位于所述有源层表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅电极和位于所述栅电极两侧的源电极和漏电极,所述栅介质层包括位于所述源电极一侧的第一栅介质和位于所述漏电极一侧的第二栅介质,所述第一栅介质的等效栅氧厚度大于所述第二栅介质的等效栅氧厚度,所述第一栅介质与所述第二栅介质相接触。本发明的优点在于,采用复合栅介质结构可以降低开态电阻,改善器件的跨导特...
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