技术编号：7016293
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，A、将刻蚀后的不良片用5%-10%的盐酸和5%-10%的氢氟酸按照体积比11-1.5混合制成的酸溶液在温度为25℃-30℃的酸洗2-5分钟后，再放入去离子水中清洗2-10分钟后，在40-60℃下烘干；B、将清洗后的硅片在扩散炉中进行变温扩散先将温度升到700℃，稳定2-5分钟，再将温度升到800~850℃，通源5-10分钟、流量700-900sccm；C、将扩散后的硅片再进行碱制绒、扩散制结、湿法刻蚀及去磷硅玻璃、镀减反射膜和丝网印刷。采用本...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。