技术编号：7016472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种带场板的射频功率LDMOS器件及其制备方法，包括源极、栅极、漏极，以及硅型衬底，P-epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，场板，LDD区域，所述LDD区域为漂移区。优选地，本发明结合SFP技术。在相同注入计量条件下，本发明的LDMOS器件减小了栅漏电容，从而可以在减小器件导通电阻的同时，优化了器件的高频特性，具有广阔的市场前景。专利说明一种带场板的射频功率LDMOS器件及其制备方法[0001]本发明涉及射频功率器件和制...
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