技术编号：7017694
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本专利公开了一种基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构，其结构为在衬底上沉积10-200组周期膜系，而周期膜系由重掺杂半导体薄膜层和氧化物薄膜层构成，此多层周期性膜系结构具有在红外特定波段吸收率达到99%的近完全吸收特性。本专利的优点是工艺简单，成本低，偏正不敏感，角度不敏感，可控性好，协调性高，可大面积生长，纳米加工技术成熟；本专利制备的红外波段近完全吸收多层周期性膜系，在探测器，空间分辨等领域有广阔应用前景。专利说明一种基于重掺杂半导体红外波段近...
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