技术编号:7018602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池,其结构为FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极,形成基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。技术方案为在FTO或AZO透明导电玻璃上制备ZnO籽晶层,在ZnO籽晶层上生长N型ZnO纳米阵列,在N型ZnO纳米阵列上制备P型多晶硅薄膜,最后在多晶硅薄膜上蒸镀金属电极。此结构特征在于N型ZnO纳米阵列可以直接深入至Si薄膜内部,实现多晶硅薄膜全面包覆Z...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。