技术编号:7019478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提出一种GaN基LED外延片,其中该GaN基LED外延片包括衬底;形成在所述衬底之上的缓冲层;形成在所述缓冲层上的本征GaN层;形成在所述本征GaN层之上的N型GaN层;形成在所述N型GaN层之上的量子阱层;形成在所述量子阱层之上的第一超晶格结构层;形成在所述第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层;形成在所述低温P型GaN层之上的电子阻挡层;以及形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层。本实用新型的GaN基LED外延片具有驱动电压低,内量子效率高的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。