技术编号:7020493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及ー种制造半导体器件特别是包括表面介电材料的半导体器件的方法。更特别地,本发明涉及场效应晶体管及其前体的制造、以及相关的器件和使用。本发明还关心在半导体器件上形成钝化层的方法。诸如场效应晶体管(FET)之类的半导体器件通常通过首先在衬底上生长堆叠外延结构,并且然后使该外延堆叠经受进ー步处理步骤来制造。进ー步处理步骤的示例包括-但不限于-器件蚀刻和介电材料、电极等等的沉积。在生长阶段期间,外延层的氧含量能够通过利用诸如分子束外延之类的超高真空(...
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