薄晶片处理的多粘合层的制作方法技术资料下载

技术编号:7022685

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本发明广泛地涉及新颖的利用多层粘合系统的临时晶片粘合方法。该创新性方法可在晶片减薄和其它背侧加工期间将器件晶片支持在载体衬底上。背景技术集成电路、功率半导体、发光二极管、光子电路、微电磁系统(MEMS)、嵌入式有源阵列、封装的介入物以及大量其它基于硅和复合半导体的微器件被共同地制造成晶片衬底上的阵列,该晶片衬底直径在1-12英寸的范围内。该器件随后被分割成各个器件或管芯,它们被封装以允许与宏观环境的形成实践性接口,例如通过与印刷线路板的互连。将器件封装件构...
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