技术编号：7023709
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种通过以对称方式形成的流入口和流出口来供应反应气体的基板处理装置。背景技术半导体装置在硅基板上具有多个阶层(layers),这样的阶层是通过沉积工序而沉积在基板上的。这样的沉积工序存在几种重要问题(issues)，而这样的问题对于沉积膜的评价以及沉积方法的选择而言是十分重要的。首先是关于沉积膜的“质量”(qulity)。其意味着组成(composition)、污染度(contamination levels)、损失...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。