技术编号：7025794
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及具有局部化电荷平衡结构的半导体器件。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。在一个实施例中，半导体器件具有邻接低掺杂n型区域形成的超结结构。低掺杂p型区域在低掺杂n型区域上面邻接超结结构形成，并被配置为提高Eas特性。与低掺杂p型区域相邻地形成体区，并且，与体区相邻地形成用于控制体区内的沟道区域的控制电极结构。根据本实用新型的方面的实施例，可以提供提高了优化电荷平衡和/或选择电荷平衡窗口的Eas性能的电荷平衡半导体器件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。