技术编号：7027581
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种基于酞菁铜_掺杂硅异质结的近红外光敏二极管。由于结合了酞菁铜光敏层的高光吸收系数和掺杂硅的高载流子迁移率，本实用新型具有光电流大、光响应度高和稳定性好的优点。依据上述技术思路发明的近红外光敏二极管由掺杂桂、酞菁铜光敏层、金薄膜（顶电极）和铝薄膜（底电极）组成。其娜备方法是，先用标准工艺清洗掺杂硅片；然后用真空热蒸发方法在硅片非抛光面制备一层铝薄膜（底电极）作为阳极；再用真空热蒸发方法在硅片抛光面制备一层酞菁铜光敏层；然后用真空热蒸发方法...
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