技术编号:7028110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在衬底上生长III族氮化物层。可以将III族氮化物层用作半导体发光器件结构的生长衬底。背景技术半导体发光器件是现有可用的最有效率的光源之一,包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED )、垂直腔激光二极管(VCSEL)和边发光激光器。在制造能够在可见光谱范围工作的高亮度发光器件时当前感兴趣的材料系统包括II1-V族半导体,尤其是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金,也称为III族氮化物材料。典型地,通过用金属有机化学气相沉积(M0CV...
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