技术编号:7028116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括光提取特征的III族氮化物发光装置。背景技术包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)、以及边发射激光器的半导体发光装置是当前可用的最有效的光源之一。在可跨越可见光谱而操作的高亮度发光装置的制造中,当前受关注的材料系统包括II1-V族半导体、尤其是镓、铝、铟及氮的二元、三元及四元合金,也称为III族氮化物材料。通常,通过利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延法(MBE)或其它外延技...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。