技术编号:7028118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及III族氮化物发光器件。该III族氮化物器件可以生长在比传统衬底更紧密晶格匹配到III族氮化物层的衬底上。背景技术包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)以及边发射激光器的半导体发光器件属于当前可获得的最高效光源。在能够跨过可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前感兴趣的材料体系包括也称为III族氮化物材料的II1-V族半导体,特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金。典型地,在蓝宝石、碳化硅、I...
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