技术编号:7028158
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板。背景技术在专利文献I中,记载有用于蓝色发光器件的InGaN层的生长方法。规定了 InGaN生长时的生长温度与生长速度。在先技术文献专利文献专利文献1日本特开平6-209122号公报发明内容发明要解决的问题在专利文献I中的生长中,将蓝宝石基板配置在生长炉的基座上后,在摄氏510度的基板温度下使氨、TMG、作为载气的氢气流过,而生长GaN缓冲层。在该期间中,自锥形石英管持续流...
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