技术编号:7028247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供一种半导体器件及包括该半导体器件的集成装置。该半导体器件包括衬底;在所述衬底上的缓冲层;补偿区,所述补偿区包括位于所述缓冲层上的p区和n区;以及位于所述补偿区上的晶体管单元,所述晶体管单元包括源区、体区、栅电极、以及至少在栅电极和体区之间形成的栅极电介质。所述栅极电介质具有在12nm到50nm的范围内的厚度。专利说明 半导体器件及包括该半导体器件的集成装置[0001]本实用新型涉及半导体器件及包括该半导体器件的集成装置,尤其涉及一种具有逻辑电...
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