技术编号:7028331
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种电力半导体器件,具体涉及一种快恢复二极管,包括衬底和P区,所述P区在衬底上形成,共同构成PN结,所述P区包括由上到下依次设置的磷离子补偿注入层和硼离子注入层;所述磷离子补偿注入层能够实现P区表面浓度降低,所述快恢复二极管正向导通时注入空穴数量减少;在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心,由此会带来一系列参数的优化。本实用新型提供的快恢复二极管,通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低,从而实现正向导通时注入空穴数量的减少...
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