技术编号:7030502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率电子器件的领域并且更具体地涉及根据权利要求1的序言的双极非穿通功率半导体装置和用于制造这样的功率半导体装置的方法。背景技术在US 5,710,442中描述具有晶片2的相控晶闸管(PCT)IO,在其上在阴极侧31上布置阴极接触3。阳极接触4在与阴极侧31相对的晶片的阳极侧41上形成。在晶片2内,布置有(n_)掺杂的漂移层26。在该漂移层26上朝阴极侧31提供ρ掺杂的基极层5,其接触阴极接触3。(Ν+)掺杂的阴极层7和(ρ+)短区8嵌入基极层5内...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。