技术编号：7030899
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种具有无边界接触窗的半导体元件，至少包含一半导体基底；一氧化物层；一第一介电材料层，用以作为无边界接触窗的阻绝层；一闸氧化层与多晶硅层，用以作为半导体的闸极结构；一轻掺杂汲极；一第二介电材料层，用以作为闸极的间隔壁；一重掺杂离子植入区，用以作为半导体的源/汲极；多个金属硅化物，用以降低接触电阻；及一内层介电材料层，所述源/汲极与该浅沟槽隔离区之间蚀刻一无边界接触窗，用以连接金属层。本实用新型可节省布局面积，降低成本，且藉由浅沟槽隔离区上部两侧的氮化硅侧隙...
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