技术编号：7031552
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。娃和娃错纳米线结构直量随着微电子器件尺寸攀升过15nm的节点，保持迁移率改善和短沟道控制对器件制造提出了挑战。用于制造器件的纳米线提供改善的短沟道控制。例如，硅锗(SixGe1J纳米线沟道结构(其中X <0.5)提供在可观的Eg下的迁移率改善，这适用于利用较高电压操作的许多传统产品。此外，硅锗(SixGe1J纳米线沟道(其中X > 0.5)在较低Eg下提供改善的迁移率(适用于例如移动/手持领域内的低电压产品)。附图简沭尽管说明书以特别指出和独立...
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