技术编号:7032505
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提供了一种LED外延结构,自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层;所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成,所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层。本实用新型的有益效果主要体现在可有效提高MQW晶格质量,大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率,有效降低器件Droop负效应影响,提高LED器件的内量子效率的目的,可很好...
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