技术编号：7032955
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池结构，其特征在于沿基板长度方向由分割线均匀分成至少两个外部并联的子电池，沿基板宽度方向由设置在透明导电前电极层设有刻划P1，沉积硅基薄膜层设有刻划P2，溅射背电极层设有刻划P3，刻划P1、P2、P3依次设置，本实用新型的关键在于根据PECVD设备沉积膜层的实际情况，按照最佳节宽度公式制作刻划P1、刻划P2和刻划P3，优化了最佳电池条宽度，长度方向分割电池，通过简单的方法将它们相并联，将大面积沉积硅基薄膜层厚度的不均匀性...
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