技术编号:7033321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型公开了一种新型高压双向触发器件,该器件包括N型半导体衬底、第一P阱和P阱层,该触发器件的四周边缘处设有SiO2绝缘层,该触发器件的上表面和下表面的中间设有金属层,金属层上分别设有金属电极T1和T2,N型半导体衬底的上下两端分别设有P型层,P型层的一端设有第一P阱,P型层中还设有N阱,N阱的一端设有第二P阱,N型半导体衬底的四周设置多层复合薄膜,多层复合薄膜外侧设有玻璃钝化层。有益效果新型高压双向触发器件具有双向对称的负阻特性以及高温工作的稳定性,...
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