技术编号:7033522
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种半导体激光器,其特征在于所述半导体激光器顺序地包括以下层级蓝宝石衬底;厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层;第一AlGaN层,第二AlGaN层,所述第一和第二AlGaN层的总厚度为2-3微米,并且所述第一AlGaN层具有高于所述第二AlGaN层的N掺杂浓度以及大于所述第二AlGaN层的厚度;厚度为80-90纳米的N型光波导层;厚度为4-5纳米的有源GaInN层;厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层;厚度为80-90纳米的P型光波导层;厚度大...
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