技术编号:7033747
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种覆晶式发光二极管及其制造方法与使用其的芯片板上封装结构,尤指一种结构中可以达到缓冲热膨胀系数差异(coefficient thermal expansionmismatch)的覆晶式发光二极管及其制造方法与使用其的芯片板上封装结构。背景技术自60年代起,发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的耗电量低及长效性的发光等优势,已逐渐取代日常生活中用来照明或各种电器设备的指示灯或光源等用途。更有甚者,发光二极管朝向多色彩...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。