技术编号:7034846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体分立器件的制造,特别是平面型双向触发二极管的制造方法。背景技术目前双向触发二极管生产技术包括两种一种为OJ (Open Juction开放结)型, 优点是工艺简单,成本低,但同时存在高温特性不好,回弹电压易衰降的问题,品质始终存在问题,市场份额越来越小;一种为平面型,目前工艺过程复杂,碎片率高,成本较高。因为要达到器件高回弹电压要求,必须要保证薄的基区,同时要求有较高的发射区与基区掺杂浓度差,现行的工艺在薄的硅原片上进行超过三次光刻的复...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。