技术编号:7035318
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型提出了一种测试结构,包括至少一个PMOS和NMOS,PMOS和NMOS紧靠成对排列,PMOS和NMOS均设有源极、漏极、栅极和有源区。测试结构包括紧贴成对排列的NMOS和PMOS,通过对NMOS和PMOS的检测,能够检测出NMOS和PMOS两者之间的相互影响,全面的监测NMOS和PMOS的性能,有效的提高检测的准确性。专利说明测试结构[0001]本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种测试结构。背景技术[0002]半导体芯片在制造完成之后通常需...
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