技术编号:7035979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到一种具有超结结构的肖特基半导体装置,本发明还涉及具有超结结构的肖特基半导体装置的制备方法。背景技术功率半导体器件被大量使用在电源管理和电源应用上,特别涉及到沟槽结构的半导体器件已成为器件发展的重要趋势,肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点,同时肖特基器件也具有反向漏电流大,不能被应用于高压环境等缺点。肖特基二极管可以通过多种不同的布局技术制造,最常用的为平面布局。BJBaliga的第5612567号专利中示出了典型的沟槽型布局。传统...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。