技术编号:7036412
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种具有集成式贯穿基板通孔(TSV)的半导体晶圆。该半导体晶圆包括基板(102)。介电层(106)可在该基板的第一侧上形成。贯穿基板通孔可延伸穿过该介电层和该基板。该贯穿基板通孔可包括导电材料和隔离层(140)。该隔离层可至少部分地围绕该导电材料。该隔离层可具有楔形部分(142)。专利说明将贯穿基板通孔集成到集成电路的中段工序层中[0001] 相关申请[0002] 本申请请求以V. Ramachandran等人的名义于2012年1月13日提交的美国临时 专...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。