技术编号:7036758
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中,在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一区,及脉冲第二反应剂气体混合物至基板表面以选择性地在第一单层的第二区上形成第二单层。专利说明原子层沉积光刻技术 [0001] 本发明通常关于原子层沉积光刻工艺的方法与设备,更明确地,本发明关于半导 体领域中利用原子层沉积...
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