技术编号:7036894
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种消除了因过程充电而产生的弊端的非易失性半导体存储器。非易失性半导体存储器的特征在于,包括硅基板;第一氧化硅膜;第二氧化硅膜;第一氮化硅膜;第二氮化硅膜,所述第一氧化硅膜被层叠于所述硅基板上,所述第一氮化硅膜被层叠于所述第一氧化硅膜上,所述第二氧化硅膜被层叠于所述第一氮化硅膜上,所述第二氮化硅膜以第一部分与所述第一氮化硅膜相接并且第二部分与所述硅基板相接的方式而被层叠。专利说明 [0001]本发明涉及一种具有氧化硅膜-氮化硅膜-氧化硅膜的...
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